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在2029至2031年,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、HBM5E以及其定制版本,还有很大潜力可以挖掘,
DRAM市场方面,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,12层和16层堆叠的HBM4E,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。SK海力士计划推出HBM5、
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。

在2026至2028年,并不是GDDR8,线路图上出现了GDDR7-Next,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,
NAND方面,
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